MOSFET rãnh có lớp chắn

Giới thiệu sản phẩm

Các sản phẩm MOSFET có cấu trúc rãnh được che chắn sở hữu khả năng cân bằng điện tíchtrực tiếp ngoại hạng anh hôm nay, giúp cải thiện toàn diện đặc tính chuyển mạch và đặc tính dẫn điện của linh kiện, đồng thời làm giảm đáng kể điện trở dẫn đặc trưng và điện tích cổng.

Công nghệ rãnh sâu được che chắn đã nâng cao đáng kể đặc tính nhiệt độ của điện trở dẫnkeo dem nay, kiểm soát hiệu quả mức độ tăng điện trở dẫn khi nhiệt độ tăng lên, từ đó cải thiện rõ rệt khả năng chịu dòng và khả năng chống xung trong điều kiện nhiệt độ cao, phù hợp hơn với môi trường nắng nóng khắc nghiệt.

Kết hợp với công nghệ đóng gói tiên tiếntrực tiếp ngoại hạng anh hôm nay, công nghệ rãnh được che chắn hướng đến việc nâng cao hiệu suất hệ thống và mật độ công suất của MOSFET trong quá trình chuyển đổi năng lượng, đồng thời đảm bảo khả năng chống xung điện trong quá trình chuyển mạch trong điều kiện khắc nghiệt, mang lại quản lý nguồn điện và điều khiển động cơ nhanh chóng, ổn định và hiệu quả.

Đặc điểm và lợi ích

Đặc điểm và lợi ích
Điện trở dẫn cực thấp
FOM cực thấp
Khả năng dòng điện mạnh hơn ở nhiệt độ cao
Đặc tính điốt cơ bản phục hồi nhanh và mềm
Crss/Ciss thấpty le truc tuyen, tăng khả năng chống EMI
Khả năng chịu UIS caotrực tiếp ngoại hạng anh hôm nay, 100

Lĩnh vực ứng dụng

Lĩnh vực ứng dụng
Bộ chỉnh lưu đồng bộ nguồn AC/DC
Điều khiển động cơ DC
Mạch bảo vệ sạc pin
Bộ biến tần
Bộ chuyển đổi DC cách ly
Nguồn dự phòng (UPS)

Danh sách sản phẩm